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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TK560P60Y,RQ

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Imagem TK560P60Y,RQ.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK560P60Y,RQ

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$0.675

1000+

$0.533

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TK560P60Y,RQ
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TK560P60Y,RQ.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 240µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

DTMOSV
RDS ON (Max) @ Id, VGS

560 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

60W (Tc)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

TK560P60YRQDKR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 7A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

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