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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TPCC8093,L1Q

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284631

TPCC8093,L1Q

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

5000+

$0.236

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TPCC8093,L1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TPCC8093,L1Q.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 500µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série

U-MOSVII
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

1.9W (Ta), 30W (Tc)
Caixa / Gabinete

8-PowerVDFN
Outros nomes

TPCC8093L1Q
Temperatura de operação

150°C
Tipo de montagem

Surface Mount
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 21A (Ta) 1.9W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

21A (Ta)

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