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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TPH1R712MD,L1Q

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Imagem TPH1R712MD,L1Q.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R712MD,L1Q

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Disponível

5000+

$0.597

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Especificações

Modelo do Produto

TPH1R712MD,L1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TPH1R712MD,L1Q.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOP Advance (5x5)
Série

U-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

78W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerVDFN
Outros nomes

TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MDL1QTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10900pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

182nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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