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1225759Imagem TPH3202PS.Transphorm

TPH3202PS

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Especificações
  • Modelo do Produto
    TPH3202PS
  • Fabricante / Marca
    Transphorm
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    TPH3202PS.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±18V
  • Tecnologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-220
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    350 mOhm @ 5.5A, 8V
  • Dissipação de energia (Max)
    65W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-220-3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    760pF @ 480V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    9.3nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    8V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    600V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

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Apoiamos vários métodos de pagamento, incluindo cartões de crédito, transferências de arame e outras opções e aceitamos a maioria das moedas.Para pedidos feitos em USD, opções de pagamento adicionais estão disponíveis.Para obter mais detalhes sobre métodos e procedimentos de pagamento, entre em contato com nossa equipe de vendas.
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Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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Fabricantes: Transphorm
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