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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SIE812DF-T1-E3

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Imagem SIE812DF-T1-E3.

Vishay Siliconix

SIE812DF-T1-E3

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Disponível

3000+

$1.649

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SIE812DF-T1-E3
Fabricante / Marca

Vishay / Siliconix
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIE812DF-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
Tensão - Teste

8300pF @ 20V
Tensão - Breakdown

10-PolarPAK® (L)
VGS (th) (Max) @ Id

2.6 mOhm @ 25A, 10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Série

TrenchFET®
Status de RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS ON (Max) @ Id, VGS

60A (Tc)
Polarização

10-PolarPAK® (L)
Outros nomes

SIE812DF-T1-E3TR
SIE812DFT1E3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Número de peça do fabricante

SIE812DF-T1-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

170nC @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

3V @ 250µA
Característica FET

N-Channel
Descrição expandida

N-Channel 40V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

-
Descrição

MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

40V
Rácio de capacitância

5.2W (Ta), 125W (Tc)

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