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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > W947D2HBJX5E TR
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3791135Imagem W947D2HBJX5E TR.Winbond Electronics Corporation

W947D2HBJX5E TR

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
2500+
$2.656
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    W947D2HBJX5E TR
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    15ns
  • Tensão - Fornecimento
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    90-VFBGA (8x13)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    90-TFBGA
  • Outros nomes
    W947D2HBJX5E TR-ND
    W947D2HBJX5ETR
  • Temperatura de operação
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    128Mb (4M x 32)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Freqüência de relógio
    200MHz
  • Tempo de acesso
    5ns
W9464G6KH-4 TR

W9464G6KH-4 TR

Descrição: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W9464G6KH-5I

W9464G6KH-5I

Descrição: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W9464G6KH-4

W9464G6KH-4

Descrição: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W9464G6JH-5I

W9464G6JH-5I

Descrição: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W947D2HBJX6E TR

W947D2HBJX6E TR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W9464G6KH-5

W9464G6KH-5

Descrição: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W9464G6KH-5I TR

W9464G6KH-5I TR

Descrição: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W947D6HBHX5I

W947D6HBHX5I

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W9464G6KH-5 TR

W9464G6KH-5 TR

Descrição: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W9464G6JH-5

W9464G6JH-5

Descrição: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W9464G6JH-4

W9464G6JH-4

Descrição: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível
W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Disponível

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