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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > W947D2HBJX6E TR

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Imagem W947D2HBJX6E TR.

Winbond Electronics Corporation

W947D2HBJX6E TR

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Disponível

2500+

$2.656

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

W947D2HBJX6E TR
Fabricante / Marca

Winbond Electronics Corporation
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

W947D2HBJX6E TR.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

15ns
Tensão - Fornecimento

1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR
Embalagem do dispositivo fornecedor

90-VFBGA (8x13)
Série

-
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

90-TFBGA
Outros nomes

W947D2HBJX6E TR-ND
W947D2HBJX6ETR
Temperatura de operação

-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memória

Volatile
Tamanho da memória

128Mb (4M x 32)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
Freqüência de relógio

166MHz
Tempo de acesso

5ns

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