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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDB0105N407L
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4120114Imagem FDB0105N407L.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB0105N407L

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
800+
$3.375
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    FDB0105N407L
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 40V 460A
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    D²PAK (TO-263)
  • Série
    PowerTrench®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    0.8 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    3.8W (Ta), 300W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Outros nomes
    FDB0105N407LTR
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    6 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    23100pF @ 20V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    291nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    6V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    40V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 40V 460A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    460A (Tc)
FDB-S

FDB-S

Descrição: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Fabricantes: Hirose
Disponível
FDB0190N807L

FDB0190N807L

Descrição: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
FDB-1054-4BK

FDB-1054-4BK

Descrição: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL

Fabricantes: Finisar Corporation
Disponível
FDB0250N807L

FDB0250N807L

Descrição: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
FDB0165N807L

FDB0165N807L

Descrição: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
FDB-1047-CL

FDB-1047-CL

Descrição: BOARD EVAL ENDURANCE NO SOLDER

Fabricantes: Finisar Corporation
Disponível
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

Descrição: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
FDB-GP

FDB-GP

Descrição: CONN GUIDE PLATE

Fabricantes: Hirose
Disponível
FDB-P

FDB-P

Descrição: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

Fabricantes: Hirose
Disponível
FDB-1047-S

FDB-1047-S

Descrição: BOARD EVAL ENDURANCE SOLDER

Fabricantes: Finisar Corporation
Disponível
FDB016N04AL7

FDB016N04AL7

Descrição: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
FDB-1051

FDB-1051

Descrição: EVAL BOARD FOR QSFP

Fabricantes: Finisar Corporation
Disponível
FDB-1048

FDB-1048

Descrição: WAVELENGTH TUNING BOX

Fabricantes: Finisar Corporation
Disponível
FDB024N06

FDB024N06

Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
FDB-1052

FDB-1052

Descrição: EVAL BRD TUNABLE SFP+.

Fabricantes: Finisar Corporation
Disponível
FDB0260N1007L

FDB0260N1007L

Descrição: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

Descrição: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
FDB029N06

FDB029N06

Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
FDB0170N607L

FDB0170N607L

Descrição: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
FDB-1053-10BK-EL

FDB-1053-10BK-EL

Descrição: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD

Fabricantes: Finisar Corporation
Disponível

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