FDB024N08BL7

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

$4.03

10+

$3.601

100+

$2.953

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDB024N08BL7
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDB024N08BL7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK (TO-263)
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max)

246W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Outros nomes

FDB024N08BL7CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13530pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

178nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

80V
Descrição detalhada

N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

O seguinte é "FDB024N08BL7" produtos relacionados.

FDB024N06

Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB035AN06A0-F085

Descrição: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB-GP

Descrição: CONN GUIDE PLATE

Fabricantes: Hirose

Disponível

RFQ

FDB0165N807L

Descrição: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB-P

Descrição: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

Fabricantes: Hirose

Disponível

RFQ

FDB035N10A

Descrição: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB024N04AL7

Descrição: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB035AN06A0

Descrição: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB045AN08A0

Descrição: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB0260N1007L

Descrição: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB031N08

Descrição: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB0190N807L

Descrição: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB016N04AL7

Descrição: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB-S

Descrição: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Fabricantes: Hirose

Disponível

RFQ

FDB0105N407L

Descrição: MOSFET N-CH 40V 460A

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB0170N607L

Descrição: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB0300N1007L

Descrição: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB039N06

Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB0250N807L

Descrição: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

FDB029N06

Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Registro antecipado

FDB024N08BL7

Inquérito On-line

Preço de referência (em dólares americanos)

A Intel receberá US $ 7,86 bilhões em subsídios sob a Le...

A AMD lança a construção da segunda fase do Bangalore De...

A placa gráfica NVIDIA RTX 5090 possui uma área de GPU de...

Anthropic recebe outro investimento de US $ 4 bilhões da A...

Semi: as vendas de IC aumentam 12% no terceiro trimestr...

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

FDB024N06

FDB035AN06A0-F085

FDB-GP

FDB0165N807L

FDB-P

FDB035N10A

FDB024N04AL7

FDB035AN06A0

FDB045AN08A0

FDB0260N1007L

FDB031N08

FDB0190N807L

FDB016N04AL7

FDB-S

FDB0105N407L

FDB0170N607L

FDB0300N1007L

FDB039N06

FDB0250N807L

FDB029N06

Selecione o idioma

Linguagem atual