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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDB035AN06A0

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Imagem FDB035AN06A0.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB035AN06A0

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10+

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100+

$4.049

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDB035AN06A0
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDB035AN06A0.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.5 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max)

310W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

FDB035AN06A0CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

11 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

124nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 22A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D²PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 80A (Tc)

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