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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDB047N10

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Imagem FDB047N10.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB047N10

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Disponível

1+

$4.96

10+

$4.427

100+

$3.63

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDB047N10
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDB047N10.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.7 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max)

375W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

FDB047N10CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

15265pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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Forma de pagamento

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