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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDB082N15A

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1409774

Imagem FDB082N15A.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB082N15A

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10+

$5.33

100+

$4.371

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDB082N15A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDB082N15A.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8.2 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max)

294W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

FDB082N15AFSCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6040pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

150V
Descrição detalhada

N-Channel 150V 117A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount D²PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

117A (Tc)

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Envio

Pagamento

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