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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDMC8878_F126

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Imagem FDMC8878_F126.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC8878_F126

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMC8878_F126
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V PWR33
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMC8878_F126.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-MLP (3.3x3.3)
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

14 mOhm @ 9.6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.1W (Ta), 31W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Outros nomes

FDMC8878_F126CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1230pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9.6A (Ta), 16.5A (Tc)

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