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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > FDMD82100L

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Imagem FDMD82100L.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMD82100L

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

3000+

$1.164

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMD82100L
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMD82100L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

12-Power3.3x5
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

19.5 mOhm @ 7A, 10V
Power - Max

1W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

12-PowerWDFN
Outros nomes

FDMD82100LTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 7A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

7A

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