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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDS8882

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Imagem FDS8882.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS8882

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDS8882
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDS8882.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

20 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

FDS8882TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

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