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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > FDS8935

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Imagem FDS8935.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS8935

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Disponível

2500+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDS8935
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDS8935.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

183 mOhm @ 2.1A, 10V
Power - Max

1.6W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

FDS8935-ND
FDS8935TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

879pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

80V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 80V 2.1A 1.6W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.1A

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