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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > FJX3014RTF

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Imagem FJX3014RTF.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJX3014RTF

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30000+

$0.035

75000+

$0.032

150000+

$0.029

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FJX3014RTF
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FJX3014RTF.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-323
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-70, SOT-323
Outros nomes

FJX3014RTF-ND
FJX3014RTFTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

FJX3014

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Forma de pagamento

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