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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > FJX3015RTF

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Imagem FJX3015RTF.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJX3015RTF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FJX3015RTF
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FJX3015RTF.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-323
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-70, SOT-323
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

33 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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