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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > NSS40200UW6T1G

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Imagem NSS40200UW6T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSS40200UW6T1G

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Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NSS40200UW6T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PNP 40V 2A 6-WDFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NSS40200UW6T1G.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

40V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 20mA, 2A
Tipo transistor

PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-WDFN (2x2)
Série

-
Power - Max

875mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-WDFN Exposed Pad
Outros nomes

NSS40200UW6T1G-ND
NSS40200UW6T1GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

140MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 2A 140MHz 875mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1A, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

2A
Número da peça base

NSS40200

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Forma de pagamento

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