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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > NSS40300MDR2G

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6401904

NSS40300MDR2G

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5000+

$0.312

12500+

$0.308

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NSS40300MDR2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NSS40300MDR2G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

40V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

170mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor

2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOIC
Série

-
Power - Max

653mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

NSS40300MDR2G-ND
NSS40300MDR2GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

2 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

100MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 1A, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

3A

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