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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTD5862N-1G

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Imagem NTD5862N-1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD5862N-1G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTD5862N-1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTD5862N-1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5.7 mOhm @ 45A, 10V
Dissipação de energia (Max)

115W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 98A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

98A (Tc)

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