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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTD5C434NT4G

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2585066

Imagem NTD5C434NT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD5C434NT4G

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$3.263

500+

$2.642

1000+

$2.228

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTD5C434NT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

T6 40V SL IN DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

NTD5C434NT4G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2.1 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)

4.7W (Ta), 120W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

NTD5C434NT4GOSCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

5 Weeks
Status sem chumbo

Lead free
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

80.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 33A (Ta), 160A (Tc) 4.7W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

33A (Ta), 160A (Tc)

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