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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > NTMD6N03R2

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NTMD6N03R2

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Disponível

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$0.483

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTMD6N03R2
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

NTMD6N03R2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOIC
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

32 mOhm @ 6A, 10V
Power - Max

1.29W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

NTMD6N03R2OS
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 24V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6A
Número da peça base

NTMD6N03

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