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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > NTMD6P02R2G

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NTMD6P02R2G

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

2500+

$0.404

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTMD6P02R2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTMD6P02R2G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOIC
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power - Max

750mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

NTMD6P02R2GOS
NTMD6P02R2GOS-ND
NTMD6P02R2GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

41 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 16V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.8A
Número da peça base

NTMD6P02

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