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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > NTMFD4902NFT1G

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Imagem NTMFD4902NFT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFD4902NFT1G

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Disponível

1500+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTMFD4902NFT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTMFD4902NFT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

6.5 mOhm @ 10A, 10V
Power - Max

1.1W, 1.16W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

NTMFD4902NFT1G-ND
NTMFD4902NFT1GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

46 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 13.3A 1.1W, 1.16W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10.3A, 13.3A

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