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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > NTMFD4C20NT3G

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Imagem NTMFD4C20NT3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFD4C20NT3G

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Disponível

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Especificações

Modelo do Produto

NTMFD4C20NT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTMFD4C20NT3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7.3 mOhm @ 10A, 10V
Power - Max

1.09W, 1.15W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

46 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 13.7A 1.09W, 1.15W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9.1A, 13.7A

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