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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > AOV11S60

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4239501

Imagem AOV11S60.

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOV11S60

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

3500+

$1.247

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

AOV11S60
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.AOV11S60.pdf
2.AOV11S60.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

4-DFN-EP (8x8)
Série

aMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

500 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipação de energia (Max)

8.3W (Ta), 156W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

4-PowerTSFN
Outros nomes

785-1683-2
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

650mA (Ta), 8A (Tc)

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Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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