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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > CXDM6053N TR

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Imagem CXDM6053N TR.

Central Semiconductor

CXDM6053N TR

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

CXDM6053N TR
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

CXDM6053N TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-89
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

41 mOhm @ 5.3A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.2W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-243AA
Outros nomes

CXDM6053N TR LEAD FREE
CXDM6053N TR PBFREE
CXDM6053N TR-ND
CXDM6053NTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 5.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5.3A (Ta)

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