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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > LBN150B01-7

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3944670

Imagem LBN150B01-7.

Diodes Incorporated

LBN150B01-7

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

3000+

$0.13

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

LBN150B01-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT26
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

LBN150B01-7.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

40V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

360mV @ 20mA, 200mA / 500mV @ 20mA, 200mA
Tipo transistor

NPN, PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-26
Série

-
Power - Max

300mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6
Outros nomes

1034-LBN150B01DITR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-26
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100mA, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max)

50nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

200mA

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