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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SI5515DC-T1-GE3

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Imagem SI5515DC-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5515DC-T1-GE3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI5515DC-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI5515DC-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

1206-8 ChipFET™
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power - Max

1.1W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SMD, Flat Lead
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.4A, 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.4A, 3A
Número da peça base

SI5515

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