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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SIR416DP-T1-GE3
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6209695Imagem SIR416DP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR416DP-T1-GE3

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Disponível
3000+
$0.628
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    SIR416DP-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    SIR416DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    PowerPAK® SO-8
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    3.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    5.2W (Ta), 69W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    PowerPAK® SO-8
  • Outros nomes
    SIR416DP-T1-GE3-ND
    SIR416DP-T1-GE3TR
    SIR416DPT1GE3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3350pF @ 20V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    40V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 40V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

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Descrição: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR424DP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR412DP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR462DP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIR383C

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Descrição: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Fabricantes: Everlight Electronics
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RFQ
SIR426DP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
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Descrição: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR418DP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
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Descrição: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR436DP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR410DP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR460DP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR432DP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR408DP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
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Descrição: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR403EDP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SIR440DP-T1-GE3

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Descrição: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
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