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SIR416DP-T1-GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SIR416DP-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIR416DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® SO-8
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.8 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

5.2W (Ta), 69W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

PowerPAK® SO-8
Outros nomes

SIR416DP-T1-GE3-ND
SIR416DP-T1-GE3TR
SIR416DPT1GE3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3350pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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