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2014679Imagem SIR432DP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR432DP-T1-GE3

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Especificações
  • Modelo do Produto
    SIR432DP-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    SIR432DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    PowerPAK® SO-8
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    30.6 mOhm @ 8.6A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    5W (Ta), 54W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    PowerPAK® SO-8
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1170pF @ 50V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    7.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    100V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 100V 28.4A (Tc) 5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    28.4A (Tc)

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