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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SQJ403EP-T1_GE3

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SQJ403EP-T1_GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SQJ403EP-T1_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

SQJ403EP-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® SO-8
Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)

68W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

PowerPAK® SO-8
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

109nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

P-Channel 30V 30A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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