SQJ412EP-T1_GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SQJ412EP-T1_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SQJ412EP-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® SO-8
Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.1 mOhm @ 10.3A, 10V
Dissipação de energia (Max)

83W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

PowerPAK® SO-8
Outros nomes

SQJ412EP-T1-GE3CT
SQJ412EP-T1-GE3CT-ND
SQJ412EP-T1_GE3CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5950pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

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