SQJ415EP-T1_GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SQJ415EP-T1_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SQJ415EP-T1_GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® SO-8
Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

14 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)

45W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

SQJ415EP-T1_GE3TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

P-Channel 40V 30A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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