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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SUD09P10-195-GE3

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Imagem SUD09P10-195-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SUD09P10-195-GE3

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$0.726

500+

$0.563

1000+

$0.444

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SUD09P10-195-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SUD09P10-195-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-252, (D-Pak)
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

195 mOhm @ 3.6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

SUD09P10-195-GE3DKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1055pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

34.8nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

P-Channel 100V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8.8A (Tc)

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