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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SUD19N20-90-T4-E3

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Imagem SUD19N20-90-T4-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SUD19N20-90-T4-E3

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SUD19N20-90-T4-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SUD19N20-90-T4-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-252, (D-Pak)
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

90 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3W (Ta), 136W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

19A (Tc)

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Descrição: MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK

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