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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFH70N20Q3

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1761063

Imagem IXFH70N20Q3.

IXYS Corporation

IXFH70N20Q3

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30+

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120+

$8.787

510+

$7.362

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFH70N20Q3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V 70A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFH70N20Q3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

6.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247AD (IXFH)
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

40 mOhm @ 35A, 10V
Dissipação de energia (Max)

690W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3150pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 70A (Tc) 690W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

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Forma de pagamento

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Pagamento

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