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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFH6N100F

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Imagem IXFH6N100F.

IXYS RF

IXFH6N100F

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120+

$7.51

510+

$6.292

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFH6N100F
Fabricante / Marca

IXYS RF
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFH6N100F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247 (IXFH)
Série

HiPerRF™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.9 Ohm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max)

180W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

14 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1770pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1000V
Descrição detalhada

N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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