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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFT16N120P

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5756997

Imagem IXFT16N120P.

IXYS Corporation

IXFT16N120P

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

30+

$15.318

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFT16N120P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFT16N120P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-268
Série

HiPerFET™, PolarP2™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

950 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

660W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1200V
Descrição detalhada

N-Channel 1200V 16A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

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