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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFT20N60Q

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4684336

Imagem IXFT20N60Q.

IXYS Corporation

IXFT20N60Q

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXFT20N60Q
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXFT20N60Q.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-268
Série

HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

350 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)

300W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 20A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

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