Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXUN350N10
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
5728599Imagem IXUN350N10.IXYS Corporation

IXUN350N10

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IXUN350N10
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IXUN350N10.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 3mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    SOT-227B
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    2.5 mOhm @ 175A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    830W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Outros nomes
    Q3672970
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Chassis Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    27000pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    640nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    100V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 100V 350A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    350A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26/01/2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Microchip anuncia 500 demissões, com custos de reestrutura...

04/12/2024

Quanta: a demanda de IA continua forte, com um fluxo consta...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

A Samsung reduz significativamente o uso fotorresistente na...

02/12/2024

Vishay investirá £ 51 milhões no NWF Wafer Fab adquirido

29/11/2024

A ameaça tarifária de Trump, Nvidia, fornecedores da Inte...

28/11/2024

A Intel receberá US $ 7,86 bilhões em subsídios sob a Le...

27/11/2024
Envio
Pagamento
O seguinte é "IXUN350N10" produtos relacionados.
IXUV170N075

IXUV170N075

Descrição: MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
TK40E10K3,S1X(S

TK40E10K3,S1X(S

Descrição: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RFQ
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
PMPB16XN,115

PMPB16XN,115

Descrição: MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Disponível
RFQ
IRFI640GPBF

IRFI640GPBF

Descrição: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
IXUC200N055

IXUC200N055

Descrição: MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
TPW1R306PL,L1Q

TPW1R306PL,L1Q

Descrição: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RFQ
AON6260

AON6260

Descrição: MOSFET N-CH 60V 85A DFN

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Disponível
RFQ
HUF75343P3

HUF75343P3

Descrição: MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SUM50020EL-GE3

SUM50020EL-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
IXUC100N055

IXUC100N055

Descrição: MOSFET N-CH 55V 100A ISOPLUS-220

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IXUV170N075S

IXUV170N075S

Descrição: MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
NTD20P06L-001

NTD20P06L-001

Descrição: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
IXUC160N075

IXUC160N075

Descrição: MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Descrição: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG

Descrição: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
NVMFS6B03NT1G

NVMFS6B03NT1G

Descrição: MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
IXUN280N10

IXUN280N10

Descrição: MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.
SEGUE-NOS
termos e CondiçõesPolítica de infraçãoSolicitar uma cotaçãoSobre nósContate-nosNotíciasMapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.