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Imagem IPI04N03LA.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI04N03LA

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IPI04N03LA
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 25V 80A TO-262
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

IPI04N03LA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 60µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO262-3
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.2 mOhm @ 55A, 10V
Dissipação de energia (Max)

107W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes

IPI04N03LAIN
IPI04N03LAX
IPI04N03LAX-ND
SP000014355
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3877pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

N-Channel 25V 80A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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