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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPI072N10N3GXK

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IPI072N10N3GXK

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Especificações

Modelo do Produto

IPI072N10N3GXK
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 90µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO262-3
Série

OptiMOS™ 3
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7.2 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max)

150W (Tc)
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes

SP000469900
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4910pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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