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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPI070N06N G

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Imagem IPI070N06N G.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI070N06N G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IPI070N06N G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPI070N06N G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 180µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO262-3
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max)

250W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes

IPI070N06N G-ND
IPI070N06NG
SP000208612
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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