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Imagem IRF6645.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6645

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF6645
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

IRF6645.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.9V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DIRECTFET™ SJ
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

35 mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3W (Ta), 42W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

DirectFET™ Isometric SJ
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5.7A (Ta), 25A (Tc)

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