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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRF6645TRPBF

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Imagem IRF6645TRPBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6645TRPBF

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Disponível

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10+

$1.709

100+

$1.351

500+

$1.047

1000+

$0.827

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF6645TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRF6645TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4.9V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DIRECTFET™ SJ
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

35 mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

DirectFET™ Isometric SJ
Outros nomes

IRF6645TRPBFDKR
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5.7A (Ta), 25A (Tc)

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