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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > R5016ANJTL
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5958742Imagem R5016ANJTL.LAPIS Semiconductor

R5016ANJTL

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1000+
$2.818
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    R5016ANJTL
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    R5016ANJTL.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    LPTS
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    270 mOhm @ 8A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    100W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    500V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 500V 16A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta)

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Envio
Pagamento
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R5011415XXWA

R5011415XXWA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5011ANX

R5011ANX

Descrição: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5011FNX

R5011FNX

Descrição: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5011615XXWA

R5011615XXWA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5020218FSWA

R5020218FSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5011FNJTL

R5011FNJTL

Descrição: MOSFET N-CH 500V 11A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5020210RSWA

R5020210RSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5016FNX

R5016FNX

Descrição: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5019ANJTL

R5019ANJTL

Descrição: MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5016ANX

R5016ANX

Descrição: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5020410RSWA

R5020410RSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5011ANJTL

R5011ANJTL

Descrição: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5020418FSWA

R5020418FSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 175A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5020413LSWA

R5020413LSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5016FNJTL

R5016FNJTL

Descrição: MOSFET N-CH 500V 16A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5020213LSWA

R5020213LSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5013ANXFU6

R5013ANXFU6

Descrição: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5013ANJTL

R5013ANJTL

Descrição: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5011415XXZT

R5011415XXZT

Descrição: RECTIFIER 1400V 150A DO-8 REV

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5011610XXWA

R5011610XXWA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.6KV 100A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
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