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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > R5016FNX
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6094215Imagem R5016FNX.LAPIS Semiconductor

R5016FNX

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$7.86
10+
$7.015
100+
$5.752
500+
$4.658
1000+
$3.928
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    R5016FNX
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    R5016FNX.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-220FM
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    325 mOhm @ 8A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    50W (Tc)
  • Embalagem
    Bulk
  • Caixa / Gabinete
    TO-220-3 Full Pack
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1700pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    500V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 500V 16A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta)

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Envio
Pagamento
O seguinte é "R5016FNX" produtos relacionados.
R5011ANX

R5011ANX

Descrição: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5020213LSWA

R5020213LSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5013ANXFU6

R5013ANXFU6

Descrição: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5011ANJTL

R5011ANJTL

Descrição: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5020418FSWA

R5020418FSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 175A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5020413LSWA

R5020413LSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5011FNJTL

R5011FNJTL

Descrição: MOSFET N-CH 500V 11A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5020410RSWA

R5020410RSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5011615XXWA

R5011615XXWA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5011FNX

R5011FNX

Descrição: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5019ANJTL

R5019ANJTL

Descrição: MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5013ANJTL

R5013ANJTL

Descrição: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5020613LSWA

R5020613LSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 125A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5020210RSWA

R5020210RSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5016ANJTL

R5016ANJTL

Descrição: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5016ANX

R5016ANX

Descrição: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5020610RSWA

R5020610RSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5016FNJTL

R5016FNJTL

Descrição: MOSFET N-CH 500V 16A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5020618FSWA

R5020618FSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 175A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5020218FSWA

R5020218FSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
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