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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > R6030KNXC7
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2786059Imagem R6030KNXC7.LAPIS Semiconductor

R6030KNXC7

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Disponível
1+
$4.28
10+
$3.824
100+
$3.136
500+
$2.539
1000+
$2.141
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    R6030KNXC7
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    R6030KNXC7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-220FM
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    86W (Tc)
  • Caixa / Gabinete
    TO-220-3 Full Pack
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    13 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2350pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    600V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 600V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

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R6030635ESYA

R6030635ESYA

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

Descrição: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Descrição: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Descrição: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Descrição: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Descrição: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Descrição: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Descrição: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
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